Изолированные ворота биполярного транзисторного рынка Прогноз достигнет $ 11 млрд к 2025 году

Изолированные ворота биполярного транзисторного рынка, по прогнозам, достигнет $ 11 млрд к 2025 году, рост на CAGR 8% в период 2019-2025. В связи с внедрением электромобилей в автомобильном секторе наблюдается значительный рост ИМБТ. Снижение стоимости электромобиля в связи с технологическим прогрессом и снижением цен на аккумуляторы увеличило спрос на электромобили с 2016 года. Ожидается, что в 2018-2022 годах производство электромобилей увеличится на 28%, что позволит к 2020 году выдать 14,8 млн электромобилей.

Изолированные ворота Биполярный анализ сегмента транзисторного рынка - по применению

Автомобильный сектор, по оценкам, вырастет на 13% в течение прогнозируемого периода 2019-2025 годов. По данным МЭА за 2019 год, продажи новых электромобилей выросли с 203 тыс. единиц в 2013 году до 1,872 тыс. единиц в 2018 году, благодаря которому рынок МГБТ растет с поразительной скоростью. Принятие EV растет чрезвычайно из-за правительственных правил для контролируемого вождения выбросов, наряду с экономическими особенностями, которые EV предлагает по сравнению с дизельными и бензиновыми автомобилями. Аналогичным образом, правительство во многих странах принимает ряд инициатив по продвижению электромобилей. Например, в 2019 году индийское правительство готовит предложение об ускорении использования электромобилей за счет субсидий.

Запрос на образец отчета и https://www.industryarc.com/pdfdownload.php?id=15423

Цена отчета: $ 4500 (Лицензия одного пользователя)

Изолированные ворота Биполярный анализ сегмента транзисторного рынка - по географии

Рынок APAC IGBT анализируется на самые высокие темпы роста в 2019-2025 годах. Рынок IGBT в этом регионе в основном обусловлен ростом производства электромобилей. В 2018 году производство электромобилей в этом регионе выросло на 75% по сравнению с 2016 годом. Правительства таких стран, как Индия, Китай и Япония, продвигают электромобили в рамках различных программ. Например, в 2019 году правительство Китая планирует внедрить кредитную систему, при которой автопроизводители должны получать кредиты на производство EV, если они хотят производить обычные транспортные средства. Увеличение производства ЭВ в стране увеличит использование МГБТ и положительно скажется на рынке. Кроме того, увеличение числа стартапов, разрабатывая новые технологии для повышения производительности аккумулятора и сосредоточения внимания на решениях для зарядки, повысит спрос на IGBT в этом регионе. Кроме того, технологические достижения, происходящие в потребительской электронике, где использование IGBT наблюдается в различных приложениях, таких как инверторы и ИБП, будет стимулировать рынок IGBT в этом регионе. Например, в 2019-2025 годах на рынке потребительской электроники в Китае, вероятно, будет наблюдаться рост на 10-15%. Этот рост, вероятно, принесет новые возможности для рынка IGBT в Китае.

Изолированные ворота биполярного транзисторного рынка Драйверы

Увеличение производства электромобилей за счет строгих норм выбросов и улучшения зарядной инфраструктуры:

Недавно ЕС объявил о внедрении нового регулирования (ЕС) 2019/631, которое в основном было направлено на сокращение выбросов CO2 из транспортных средств. Ожидается, что осуществление этого положения негативно скажется на производстве транспортных средств, которые работают на топливе. Учитывая это, автопроизводители планируют увеличить производство EVs, что позволит постепенно увеличить использование IGBTs. Аналогичным образом, увеличение инвестиций и инициатив по созданию новых зарядных центров ключевыми игроками, такими как Charge Point, Electrify America и Volkswagen, вносят значительный вклад в рост рынка зарядных станций для электромобилей. В 2019 году Charge Point и Electrify America в партнерстве с планом инвестирования $2 млрд в США создали 30 000 станций быстрой зарядки Level 2 и DC. В июне 2019 года Volkswagen планирует создать 484 электростанции с более чем 2000 зарядных дозаторов по всей территории США.

Внедрение новой концепции дизайна в IGBT:

Различные поставщики в настоящее время сосредоточены на внедрении новых конструкций для повышения производительности IGBT. Новые концепции дизайна, называемые поданными стоп-и похоронен слой (BL) в IGBTs поможет в обеспечении эффективных мер по сокращению потери переключения в силовых приложений. Ожидается, что сочетание этих технологий в производственном процессе еще больше повысит производительность МГБТ.

Скачать пример отчета и https://www.industryarc.com/pdfdownload.php?id=15423

Изолированные ворота биполярного транзисторного рынка проблемы

Использование SIC MOSFETs вместо IGBT в приложениях для переключения питания:

Поскольку спрос на солнечные инверторы растет примерно на 30% каждый год, производители переходят к использованию SiC MOSFET, который рассматривается в качестве альтернативы для IGBT. Использование SiC MOSFET в солнечных инверторах, как ожидается, снизит стоимость инвертора и поможет повысить эффективность инверторов на 1%-2%. Увеличение использования SiC MOSFET даже поможет в снижении потери электроэнергии на 75%. Производители SiC MOSFET планируют внедрить передовые технологии в производственный процесс, которые могут помочь в снижении цен на продукцию.

Рыночный ландшафт

Рынок IGBT сильно фрагментирован присутствием большого числа региональных и глобальных поставщиков. Ключевые поставщики предлагают индивидуальные продукты, чтобы получить выгоду от местных производителей. Крупные поставщики используют новые области применения, такие как электромобили, диски и другие. Крупные игроки, такие как ROHM и Renesas Electric Corporation, сосредоточены на внедрении новых продуктов. ROHM недавно представила четыре новых автомобильных класса 1200V-рейтинг iGBTs, которые идеально подходят для инверторов, используемых в электронных компрессорах, и для переключения схем, используемых в положительном коэффициенте температуры (PTC) обогреватели. Внедрение новых автомобилей класса серии продуктов ROHM, которые в основном используются в инверторы и другие приложения, которые помогают в повышении эффективности продукции и, как ожидается, показать положительное влияние на доходы компании. Основными игроками на рынке IGBT являются Renesas Electronics Corporation, Infineon Technologies AG, Fuji Electric Co. Ltd., ROHM Co. Ltd., SEMIKRON International GmbH, Mitsubishi Motors Corporation, Toshiba Corporation, Hitachi, Ltd. и другие.

Партнерства/слияния/приобретения

В 2016 году Littelfuse приобрела диоды ON Semiconductor Corporation, которые были подавлением временного напряжения (TVS), переключив тиристоры и изолированные сегменты двухполярных транзисторов ворот на сумму $104 млн, чтобы расширить свою роль на рынке биполярного транзистора изолированных ворот.

Инвестиции в НИОКР/Финансирование

Toyota Central R и D Labs Inc., находится в процессе разработки новой концепции дизайна для улучшения характеристик IGBTs. Toyota Central R и D Labs Inc., отметил, что новые IGBTs предоставляются с концепцией полевых IGBT, которые являются эффективными в снижении напряжения на состоянии.

Изолированные ворота биполярного транзисторного рынка исследований Сфера:

Базовым годом исследования является 2018 год, прогноз - до 2025 года. В исследовании представлен тщательный анализ конкурентного ландшафта с учетом доли рынка ведущих компаний. В нем также содержится информация о партиях единиц. Они обеспечивают ключевыеучастники рынка с необходимой бизнес-аналитикой и помогают им понять будущее рынка IGBT. Оценка включает в себя прогноз, обзор конкурентной структуры, доли рынка конкурентов, а также тенденции рынка, требования рынка, драйверы рынка, проблемы рынка и анализ продукции. Драйверы рынка и ограничения были оценены, чтобы понять их влияние в течение прогнозируемого периода. В настоящем докладе также определены основные возможности для роста, а также подробно описаны основные проблемы и возможные угрозы. Ключевыми областями внимания являются конкретные приложения в потребительской электроники, промышленных приводов двигателя, инверторы и UPS, и автомобильной, HVAC, возобновляемых источников энергии.

Ключевые выносы

Ожидается, что внедрение новых стратегий, таких, как кредитный балл по производству электромобилей и новые правительственные нормативные акты по сокращению выбросов CO2, приведет к увеличению производства электромобиля, что приведет к увеличению использования МГБТ, что повлияет на рост рынка МГБТ.

Растущее внимание и инвестиции в НИОКР для новых чипов и модулей IGBT, которые помогают в снижении энергопотребления, а также в улучшении плотности чипов, теплостойкости и эффективности, еще больше укрепят позиции рынка IGBT.

APAC занимает большую долю рынка IGBT. Рост рынка в этом регионе обусловлен увеличением числа стартапов, которые сосредоточены на внедрении новых технологий, которые повысят производительность батареи EVs является движущей силой рынка IGBT.

Похожие отчеты :

A. Рынок транзисторов высокоэлектронной мобильности

https://www.industryarc.com/Report/19294/high-electron-mobility-transistor-market.html

B. Рынок технологий Surface Mount

https://www.industryarc.com/Report/15454/surface-mount-technology-market.html

О промышленности: IndustryARC в первую очередь фокусируется на исследованиях рынка передовых технологий и новых приложений. Наши службы пользовательских исследований предназначены для того, чтобы дать представление о постоянном изменении глобального разрыва спроса и предложения на рынках. Наша сильная команда аналитиков позволяет нам быстро удовлетворять потребности клиентов в исследованиях, с различными вариантами для вашего бизнеса. Любые другие пользовательские требования могут быть обсуждены с нашей командой, отказаться от электронной почты, чтобы sales@industryarc.com, чтобы обсудить больше о наших консалтинговых услуг.